Главная Сделать заказ Готовые работы Почему именно мы? Ценовая политика Как оплатить? Подбор персонала О нас Творчество авторов Быстрый переход к готовым работам Контрольные Рефераты Отчеты Курсовые Дипломы Диссертации Мнение посетителей: Понравилось Не понравилось Книга жалоб и предложений

Название Моделирование и исследование транзисторного ключа Количество страниц 10 ВУЗ Севастопольский национальный технический университет Год сдачи 2010 Содержание Цель работы: Моделирование транзисторного ключа в среде «CIRCUITMAKER». Исследование характеристик транзисторного ключа по схеме с общим эмиттером. Таблица 1- Технические параметры транзисторного ключа № Характеристические параметры Значения 1 Проводимость транзистора «npn» 2 Напряжение питания (В) 19 3 Коэффициент передачи тока базы транзистора 19 4 Ток эмиттера транзистора в статическом режиме (мА*10-1) 19 5 Нижняя частота входного сигнала (Гц) 719 6 Рабочая температура ( ) 19 Ход работы: Расчет транзисторного ключа 1. Выбор транзистора по параметрам: Iк.max; ; Uост; Uкэ.max. 2. Выбор тока эмиттера Iэ. 3. Расчет температурного потенциала т 4. Расчет сопротивления вывода эмиттера rэ 5. Расчет параметра а 6. Расчет тока коллектора Iк: 7. Расчет тока базы Iб: 8. Расчет сопротивления в цепи коллектора Rк: 9. Расчет мощности резистора нагрузки Rк: 10. Расчет входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером : 11. Расчет ограничивающего резистора Rб 12. Проверочный расчет напряжения питания Епр: Обработка результатов Вывод: Транзисторный ключ относится к релейным устройствам автоматизации. Эти устройства работают по принципу реле: замкнут – разомкнут; включен – выключен; логическая «1» - логический «0». Переход из одного состояния в другое происходит скачком. Для реализации релейной функции преобразования используются электронные ключи на биполярных и полевых транзисторах. С помощью транзисторного ключа коммутируются электрические цепи одной мощности посредством управляющих сигналов другой мощности. В схеме с ОЭ транзистор работает в ключевом (релейном) режиме. Сопротивление в коллекторной цепи транзистора (нагрузка ключа) ограничивает ток коллектора в режиме насыщения. Сопротивление ограничивает ток базы, за счет чего увеличивается входное сопротивление транзисторного ключа в целом. Для насыщения транзистора необходимо, чтобы напряжение между базой и эмиттером превышало статический потенциал эмиттерного pn–перехода . Таким образом, транзисторный ключ с ОЭ выполняет операцию инверсии (изменяет фазу выходного сигнала относительно входного на угол ). Список литературы Цена, в рублях: (при оплате в другой валюте, пересчет по курсу центрального банка на день оплаты) 500

Найти готовую работу ЗАКАЗАТЬ Обратная связь: Связаться Вход для партнеров Регистрация Восстановить доступ Материал для курсовых и дипломных работ 15.04.24 Задачи, условия и этапы организации экспериментальной работы 15.04.24 Критерии качества преподавания 15.04.24 Категория нормы в обучающей деятельности Архив материала для курсовых и дипломных работ Ссылки: Счетчики:

---

© 2006-2022. Все права защищены.
Выполнение уникальных качественных работ - от эссе и реферата до диссертации. Заказ готовых, сдававшихся ранее работ.